2016年5月23日 濕法和干法刻蝕目前能達到的的精度是多少[#]2016年12月13日 與干法刻蝕相比,濕法腐蝕工序在成本,速度,性能發面更有優勢。干法刻蝕的仿真還不可用,如常用的微結構的選擇性鉆蝕或與晶向相關的腐蝕仿真等。考慮到干法刻蝕要求在一個昂貴的等離子[#]1 干法刻蝕和濕法刻蝕 干法刻蝕是把硅片表面暴露于空氣中產生的等離子體,等離子體通過光刻膠中開出的窗口, 與硅片發生物理或化學反應,從而去掉暴露的表面材料。 濕法腐蝕是以[#]2020年6月19日 具體工藝上對干法刻蝕的要求是:對光刻膠和下層材料等不需要刻蝕的材料具有高選擇比、有可接受的產能的刻蝕速率、好的側壁剖面控制、好的片內均勻性、低器件損傷和較寬的工藝制造窗口[#]2014年7月29日 干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體,是利用等離子體和表面薄膜反應,形成揮發性物質,或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。 特點:能實現各向異性刻蝕,從而保證細小圖形轉移后的保真性。 缺點[#]答案: t=刻蝕所用的時間 為了高的產量,希望有高的刻蝕速率。3刻蝕選擇比指的是同一刻蝕條件下一種材料與另一種刻蝕材料相比刻蝕速率快多少。他定義為被刻蝕材料的刻蝕速[#]2021年8月19日 曝到光的光刻膠能被顯影液溶解掉,這是正膠。 題型:判斷題 電位器的英文縮寫是() 題型:單項選擇題 干法刻蝕適用于線條較寬的工藝。 題型:判斷題 濕法刻蝕不易產[#]2021年1月7日 干蝕刻有三種類型(例如等離子蝕刻):化學反應(通過使用反應性等離子體或氣體),物理去除(通常通過動量傳遞)以及化學反應和物理去除的組合。另一方面,濕蝕刻僅是化[#]2017年5月29日 干法刻蝕不像濕法刻蝕那樣有很高的選擇比,過度的刻蝕可能會損傷下一層的材料,因此刻ICL7642ECPD蝕時間必須準確無誤地掌握。另外,機器的情況(如氣體流量、溫度[#]2021年8月19日 首頁 考試題庫 在線模考 資料下載 網課試題登錄 注冊 首頁 考試題庫 模擬考場 資料下載 網課試題 大學試題 題庫首頁 每日一練 章節練習 判斷題濕法刻