本發明公開了一種高導熱碳化硅陶瓷材料,所述的高導熱碳化硅陶瓷材料由以下成分按照重量比組成:碳化硅29～35份,氧化鋯11～15份,碳化鎂5～11份,二氧化鈦6～8份,碳化鎢6～12份,[#]2020年11月28日 (54)發明名稱 一種高導熱碳化硅陶瓷材料及其制備方法 (57)摘要 本發明公開了一種高導熱碳化硅陶瓷 材料,所述的高導熱碳化硅陶瓷材料由以下 成分按照重量比組成[#]一種高導熱碳化硅陶瓷材料及其制備方法,由下列重量份的原料制成:碳化硅7080、氮化硅912、不銹鋼粉末46、鈦粉68、聚合氯化鋁23、硅烷偶聯劑KH57012、冰晶石粉45、石英[#]2021年11月15日 2、SiC陶瓷 目前碳化硅（SiC）是國內外研究較為活躍的導熱陶瓷材料。SiC的理論熱導率非常高,已達到270W/m·K。但由于SiC陶瓷材料的表面能與界面能的比值低,即晶界能較高,因而很[#]31. 5wt. % 各成分用量之和為。[0021] 上述高熱導率反應燒結SiC陶瓷材料的制備方法,包括步驟如下:[0022] (1)將碳化硅、石墨烯、炭粉、表面活性劑、分散劑和粘結劑按比