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2. 2 程序攪拌對(duì)碳酸鈣晶型的影響 實(shí)驗(yàn)過程控制對(duì)碳酸鈣晶體的生長成核有很 大的影響, 程序攪拌不僅可以促進(jìn)脫硫石膏與碳酸 銨充分 接觸并反應(yīng) 還可以控制產(chǎn)物
答案: 在脫硫石膏粉生產(chǎn)線,脫硫石膏生產(chǎn)工藝中晶體的生長習(xí)性是指晶體在一定生長條件下所具有的結(jié)晶形貌特征。晶體的生長形貌決定與晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)和生長時(shí)的物理化學(xué)更多關(guān)于促進(jìn)脫硫石膏晶體生長的問題>>
【摘要】:采用常壓鹽溶液法工藝以脫硫石膏為原料制備α半水石膏,研究乙二胺四乙酸(EDTA)對(duì)脫水反應(yīng)速率、產(chǎn)物晶體形貌的影響,并結(jié)合多種分析手段從微
在脫硫石膏粉生產(chǎn)線,脫硫石膏生產(chǎn)工藝中晶體的生長習(xí)性是指晶體在一定生長條件下所具有的結(jié)晶形貌特征。晶體的生長形貌決定與晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)和生長時(shí)的物理
脫硫石膏的( 111)面,抑制其在c 軸方向生 長,使晶體沿c 軸生長的比較優(yōu)勢(shì)被削弱或逆轉(zhuǎn),從而改變了晶面在不同軸向的相對(duì)生長速率, 使α半水脫硫石膏晶體生長
摘要: 用掃描電鏡、顯微紅外、紫外吸收光譜、X 光電子能譜等研究了乙二胺四乙酸(簡稱EDTA) 在α半水石膏表面的吸附特性,從晶體生長角度分析了EDTA的調(diào)晶機(jī)理。結(jié)
[單選] 下列因素中對(duì)循環(huán)漿液中石膏晶體生長影響小的是()。A . A、漿液在我國脫硫石膏產(chǎn)品中都含有少量雜質(zhì),下列四種雜質(zhì)中含量少的是()。 如果化驗(yàn)
用脫硫石膏制備高強(qiáng)石膏粉的轉(zhuǎn)晶劑,半水石膏在沒有外界因素干擾的情況下通常自由生長成針狀晶體。為改變半水石膏晶體生長習(xí)性,獲得短柱狀的晶體,一般
(或生石灰)、脫硫石膏(或天然石膏)等作為輔助(即金屬銥粉末)可將其還原成晶體狀的四氟化銥不僅可消除污染,還可實(shí)現(xiàn)其資源化利用,促進(jìn)節(jié)能
礦渣粉和脫硫石膏自身的經(jīng)濟(jì)附加值,降低了灌漿料的生產(chǎn)成同時(shí)減少脫磷渣、礦渣磷渣粉抑制了水泥早期水化,使得水化反應(yīng)速率降低,這樣反而使晶體"生長發(fā)育"得
4天前  利用火電廠脫硫渣石膏制造硫酸和水泥 節(jié)能建材提出要積極推進(jìn) 空間基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),促進(jìn)衛(wèi)星及其(002222) 全球的非線性光學(xué)晶體與激光晶體
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脫硫石膏的( 111)面,抑制其在c 軸方向生 長,使晶體沿c 軸生長的比較優(yōu)勢(shì)被削弱或逆轉(zhuǎn),從而改變了晶面在不同軸向的相對(duì)生長速率, 使α半水脫硫石膏晶體生長
摘要: 用掃描電鏡、顯微紅外、紫外吸收光譜、X 光電子能譜等研究了乙二胺四乙酸(簡稱EDTA) 在α半水石膏表面的吸附特性,從晶體生長角度分析了EDTA的調(diào)晶機(jī)理。結(jié)
[單選] 下列因素中對(duì)循環(huán)漿液中石膏晶體生長影響小的是()。A . A、漿液在我國脫硫石膏產(chǎn)品中都含有少量雜質(zhì),下列四種雜質(zhì)中含量少的是()。 如果化驗(yàn)
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